詳細(xì)介紹OMRON接近傳感器 圓柱形結(jié)構(gòu)

接近傳感器的檢測原理:

通過外部磁場影響，檢測在導(dǎo)體表面產(chǎn)生的渦電流引起的磁性損耗。在檢測線圈內(nèi)使其產(chǎn)生交流磁場，并檢測體的金屬體產(chǎn)生的渦電流引起的阻抗變化進(jìn)行檢測的方式。

此外，作為另外一種方式，還包括檢測頻率相位成分的鋁檢測傳感器，和通過工作線圈僅檢測阻抗變化成分的全金屬傳感器。

在檢測體一側(cè)和傳感器一側(cè)的表面上，發(fā)生變壓器的狀態(tài)。

產(chǎn)品型號:

OMRON光電開關(guān) E3FA-DN11 2M 

OMRON限位開關(guān) WLCA2 

OMRON限位開關(guān) D4MC-2020

OMRON  K3SC-10 AC100～240V 歐姆龍

OMRON  OMRON電纜K32-23209 歐姆龍

歐姆龍H7ET-NFV1

CPU模塊 OMRON CJ2M-CPU12

D4SL-N2HFA-D OMRON

D4SL-N2FFA-D

MY2N-GS AC220/240 BY OMZ/C 

MY2N-GS DC24 BY OMZ/C 

MY2N-GS AC24 BY OMZ/C

WLCA12-TH-N

E3Z-D61OMRON

行程開關(guān) HL-5030

光電開關(guān) E3FA-DP21

WLCA12-2N-N BY OMR 1：行程開關(guān)

E2E-X18MY1-2  240VAC

E2E-X10D1-N-Z  歐姆龍

應(yīng)用參數(shù):

E2E NEXT系列憑借長距離穩(wěn)定檢測技術(shù)“熱敏遠(yuǎn)距離控制"和模擬數(shù)字混合IC，解決了增大接近傳感器檢測距離時(shí)的課題——溫度變化產(chǎn)生的影響以及傳感器的個(gè)體差異。

在IoT化的工序中，需要測量每個(gè)傳感器的溫度特性，并將根據(jù)算法計(jì)算得到的較補(bǔ)償值寫入到模擬數(shù)字混合IC“PROX3"中，將溫度變化對檢測距離的影響以及傳感器的個(gè)體差異控制在較小。

接近傳感器，是代替限位開關(guān)等接觸式檢測方式，以無需接觸檢測對象進(jìn)行檢測為目的的傳感器的總稱。能檢測對象的移動(dòng)信息和存在信息轉(zhuǎn)換為電氣信號。在換為電氣信號的檢測方式中，包括利用電磁感應(yīng)引起的檢測對象的金屬體中產(chǎn)生的渦電流的方式、捕測體的接近引起的電氣信號的容量變化的方式、利石和引導(dǎo)開關(guān)的方式。

E2E NEXT的檢測距離約為以往產(chǎn)品的2倍。例如，M12的檢測距離為7mm，與以往的M18一樣。

保護(hù)回路浪涌吸收、負(fù)載短路保護(hù)

環(huán)境溫度范圍工作時(shí)：-25～+70℃ 保存時(shí)：-40～+85℃(無結(jié)冰、無結(jié)露)

環(huán)境濕度范圍工作時(shí)、保存時(shí)：各35～95%RH (無結(jié)露)

溫度的影響-25～+70℃的溫度范圍內(nèi)， +23℃時(shí)，檢測距離的±10%以內(nèi)

電壓的影響在額定電源電壓的±15%范圍內(nèi)，額定電源電壓時(shí)，檢測距離的±1%以內(nèi)

絕緣電阻50MΩ以上(DC500V兆歐表) 充電部整體與外殼間

耐電壓AC1,000V 50/60Hz 1min 充電部整體與外殼間

振動(dòng)(耐久)10～55Hz 雙振幅1.5mm X、Y、Z各方向 2h

沖擊(耐久)500m/s2 X、Y、Z各方向 10次

與e-治具組合，可輕松地將現(xiàn)有設(shè)備升級為“傳感器更換時(shí)間10秒*"的設(shè)備。

詳細(xì)介紹OMRON接近傳感器 圓柱形結(jié)構(gòu)